隨著集成電路不斷向小型化、高密度、高性能方向發(fā)展，作為芯片載體的 IC 封裝基板面臨著未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。傳統(tǒng)材料在熱導(dǎo)率、信號(hào)傳輸速度、機(jī)械強(qiáng)度等方面的局限性日益凸顯。

日本大明化學(xué)推出的 TM-DAR 高純納米氧化鋁粉，以其卓1越的材料特性，正在成為推動(dòng)下一代 IC 封裝基板升級(jí)的關(guān)鍵核心原料。

大明化學(xué)的 TM-DAR 產(chǎn)品以 >99.99% 的氧化鋁純度和約 0.1 微米的一次粒徑著稱，這兩個(gè)核心參數(shù)使其在電子陶瓷領(lǐng)域脫穎而出。

01 產(chǎn)業(yè)拐點(diǎn)：IC 基板的材料革新需求

隨著5G通信、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的蓬勃發(fā)展，集成電路正朝著更高性能、更小體積、更低功耗的方向快速演進(jìn)。作為芯片與外部電路之間的關(guān)鍵連接橋梁，IC 封裝基板的性能直接決定了整個(gè)電子系統(tǒng)的可靠性與效率。

傳統(tǒng)有機(jī)基板材料在熱膨脹系數(shù)匹配、高溫穩(wěn)定性和介電性能方面逐漸顯露出局限性。

特別是在高頻高速應(yīng)用場(chǎng)景下，信號(hào)傳輸?shù)耐暾院头€(wěn)定性受到嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。這一產(chǎn)業(yè)背景為高性能陶瓷基板材料的崛起創(chuàng)造了絕1佳的歷史機(jī)遇。

氧化鋁陶瓷憑借其優(yōu)異的熱導(dǎo)率、出色的絕緣性能以及與硅芯片匹配的熱膨脹系數(shù)，逐漸成為高1端 IC 封裝的首1選材料之一。

02 性能突破：TM-DAR 的四大技術(shù)優(yōu)勢(shì)

大明化學(xué) TM-DAR 氧化鋁粉的卓1越表現(xiàn)源于其獨(dú)特的技術(shù)特性，這些特性直接轉(zhuǎn)化為 IC 基板制造中的關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)。

純度方面，TM-DAR 的 Al?O? 含量超過 99.99%，意味著極低的雜質(zhì)含量。這一特性對(duì)電子陶瓷基板至關(guān)重要，因?yàn)榧词刮⒘康碾s質(zhì)也會(huì)顯著影響介電常數(shù)和介電損耗，進(jìn)而降低信號(hào)傳輸質(zhì)量。

高純度確保了基板在高頻條件下的信號(hào)完整性，這是5G和毫米波通信應(yīng)用的基礎(chǔ)保障。

粒徑控制方面，TM-DAR 的一次粒徑約為 0.1 微米，比表面積達(dá)到 14.5 m2/g。超細(xì)且均勻的顆粒分布為制造微觀結(jié)構(gòu)均勻的陶瓷基板奠定了物質(zhì)基礎(chǔ)。

這種精細(xì)的顆粒特性使得燒結(jié)過程中顆粒排列更加致密，有助于形成幾乎無缺陷的微觀結(jié)構(gòu)，從而提高基板的機(jī)械強(qiáng)度和熱導(dǎo)率。

燒結(jié)性能方面，TM-DAR 能夠在 1250°C-1300°C 的較低溫度下實(shí)現(xiàn)致密化，燒結(jié)后密度可達(dá)理論密度的 98% 以上。與傳統(tǒng)氧化鋁粉相比，這一燒結(jié)溫度降低了約 100°C-150°C。

這一特性不僅顯著降低了能耗，減少了制造成本，還避免了高溫可能導(dǎo)致的微觀結(jié)構(gòu)缺陷，保證了基板性能的一致性和可靠性。

工藝獨(dú)特性方面，TM-DAR 采用獨(dú)特的鋁化合物化學(xué)合成技術(shù)，而非傳統(tǒng)的物理研磨法。這一工藝確保了顆粒形貌的高度可控性和批次間的穩(wěn)定性，為 IC 基板的大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn)提供了質(zhì)量保障。

03 應(yīng)用升級(jí)：TM-DAR 如何助力 IC 基板性能飛躍

大明化學(xué) TM-DAR 氧化鋁粉的技術(shù)優(yōu)勢(shì)在實(shí)際應(yīng)用中直接轉(zhuǎn)化為 IC 基板的性能提升，解決了當(dāng)前高1端封裝面臨的多個(gè)技術(shù)瓶頸。

線路精細(xì)化方面，隨著芯片集成度的不斷提高，基板上的線路寬度和間距持續(xù)縮小。TM-DAR 制備的陶瓷基板表面粗糙度極低，這為實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的電路圖案提供了理想的平臺(tái)。

配合先1進(jìn)的薄膜工藝，基于 TM-DAR 的陶瓷基板能夠支持線寬/線距小于 10 微米的高密度互連，滿足下一代芯片封裝的需求。

熱管理方面，高性能芯片的功耗密度不斷增加，散熱成為制約性能的關(guān)鍵因素。TM-DAR 陶瓷基板的熱導(dǎo)率可達(dá) 20-30 W/(m·K)，顯著高于有機(jī)基板材料。

優(yōu)異的熱傳導(dǎo)性能有效加速熱量從芯片向外部環(huán)境的傳遞，防止熱積聚導(dǎo)致的性能下降或器件失效，確保系統(tǒng)在高溫環(huán)境下的穩(wěn)定運(yùn)行。

高頻性能方面，通信頻率向毫米波頻段延伸，對(duì)基板材料的介電性能提出更高要求。TM-DAR 基板具有低且穩(wěn)定的介電常數(shù)和極低的介電損耗，能夠最1大限度減少信號(hào)衰減和失真。

這一特性特別適合5G通信設(shè)備、汽車?yán)走_(dá)和衛(wèi)星通信等高頻應(yīng)用場(chǎng)景，保證了高速信號(hào)的完整傳輸。

可靠性方面，TM-DAR 陶瓷基板具有優(yōu)異的高溫穩(wěn)定性和耐濕性，能夠承受嚴(yán)苛的環(huán)境考驗(yàn)。

與傳統(tǒng)有機(jī)基板相比，其熱膨脹系數(shù)與硅芯片更為匹配，大幅降低了熱循環(huán)過程中的應(yīng)力損傷，延長(zhǎng)了電子設(shè)備的使用壽命。

04 產(chǎn)業(yè)展望：高1端陶瓷基板的未來圖景

隨著電子設(shè)備向更高性能、更小體積、更廣泛應(yīng)用領(lǐng)域發(fā)展，高性能陶瓷基板的市場(chǎng)需求將持續(xù)增長(zhǎng)。大明化學(xué) TM-DAR 氧化鋁粉作為關(guān)鍵原材料，在這一趨勢(shì)中將扮演日益重要的角色。

在 5G 和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域，隨著基站密度增加和設(shè)備小型化，對(duì)高性能射頻模塊的需求將持續(xù)增長(zhǎng)。TM-DAR 陶瓷基板憑借其優(yōu)異的高頻特性，有望在這一領(lǐng)域占據(jù)重要市場(chǎng)份1額。

在 人工智能和高效能計(jì)算領(lǐng)域，處理器的功耗和發(fā)熱量不斷攀升，散熱成為制約算力提升的關(guān)鍵瓶頸。TM-DAR 基板的優(yōu)異熱管理能力將為這一挑戰(zhàn)提供有效的解決方案。

在汽車電子領(lǐng)域，隨著自動(dòng)駕駛技術(shù)的普及，車載電子系統(tǒng)對(duì)可靠性和耐用性要求極1高。TM-DAR 陶瓷基板能夠在極1端溫度和振動(dòng)環(huán)境下穩(wěn)定工作，滿足汽車電子的嚴(yán)苛要求。